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Diodo Gunn ou dispositivo de elétrons transferido (TED) é um diodo, semicondutor, utilizado principalmente em aplicações de RF em frequências entre 1 e 100 GHz, ou seja na faixa de microondas, usado para a geração de sinais de RF, amplificador de elétrons, transmissores de baixa e média potencia, sistemas de sensoriamento de proximidade, etc.
Como os diodos Gunn são fáceis de serem usados, eles são uma maneira mais viável e de custo relativamente baixo para a geração de sinais de RF de micro-ondas em comparação com outros osciladores de RF.
Diodo Gunn
No início da década de 1960, o cientista da IBM, J.B. Gunn, descobre que em certos semicondutores como o Arsenieto de Gálio, os elétrons podem existir tanto num estado de baixa velocidade com massa elevada, como no seu estado natural, de alta velocidade com baixa massa, de forma que podem ser forçados a um estado de massa elevada pela ação de um campo elétrico constante fazendo com que a corrente flua como uma série de pulsos.
Conhecido como efeito gunn, é o princípio operacional de um diodo fabricado de uma camada epitaxial de Arsenieto de Gálio-N acrescida de um substrato do mesmo material. Mas se uma pequena tensão for aplicada aos terminais da camada-N, no substrato, isso produz um campo elétrico responsável pela formação dos pulsos.
A freqüência dos pulsos gerados depende não somente do tempo de deslocamento através da camada-N como, também, da sua espessura.
Se o diodo for montado em uma cavidade ressonante sintonizada, a excitação por choque gera oscilações de radio freqüência com potencia de até 1 Watt em amplitudes de 10 a 30 GHz.
